BCD工艺设计Monolithic大功率IC的疑惑

castlerock · 发表于 2016-11-28 12:01:10

本帖最后由 castlerock 于 2016-11-28 15:43 编辑

Hi, 大家好。

目前想用主流BCD工艺（如TSMC0.18/0.25BCD等）设计开关管集成的Monolithic大功率IC。

从工艺文件手册看起来高压NMOS的Capacitance和GateCharge都较分立的trench器件大很多，
这样开关损耗也会大上去，这与现在大多高频开关电源芯片采用monolithic趋势相背离。

是不是我的理解有误？

抑或monolithic只是主打小功率，这样MOSFET尺寸较小，对应Capacitance和GateCharge较小，因此开关损耗不大。
而Rdson较大，导通损耗与开关损耗相当，合理性在于开关损耗与导通损耗相当？

若功率和当前的DrMOS（输出1V@50A）相当，是不是monolithic方案不太可行？
此时MOSFET尺寸较大，开关损耗大上去，导通损耗小下来，偏离最优点？

谢谢！

jeffej · 发表于 2016-12-5 16:32:03

高压NMOS的Capacitance和GateCharge都较分立的trench器件不應該較大的 !

castlerock · 发表于 2016-12-18 19:19:32

回复 2# jeffej

原理上相同尺寸器件应该是如此；

但是看了BCD工艺的设计手册，对比相同Rdson条件，BCD器件尺寸要大上去才行。
这样导致Cap与Charge都上去了。

mazhao1982 · 发表于 2016-12-25 20:27:38

你要求多大的Rdson？
mosfet的耐压是多少？
我们8A都用的是BCD工艺。

castlerock · 发表于 2016-12-25 22:53:16

本帖最后由 castlerock 于 2016-12-25 22:55 编辑

回复 4# mazhao1982

8A的part应该上下管30/10毫欧左右吧？
一般驱动的source/sink能力应该在1欧左右？

我这边大概在10/15A这样的等级上，耐压大致在30V等级。
另外需要跑1MHz以上频率。

[求助] BCD工艺设计Monolithic大功率IC的疑惑

浏览过的版块

站长推荐 /2