一个很弱的问题,IC的集成度是如何做到每隔一定的时间成倍提升的

qwer1215 · 发表于 2015-8-6 17:03:34

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一直很困惑,为什么IC的制程几乎都是按倍数减小的,从0.25um,到0.18um,到0.13um.再到90nm,65nm,45nm,32nm,28nm,20um,生产线上光刻工艺的提升是如何做到这种呈倍数减小器件大小的?

lc137615061 · 发表于 2015-8-6 19:05:56

摩尔定律，问问摩尔去吧。

alienwarexie · 发表于 2015-8-7 09:59:44

机器控制

qwer1215 · 发表于 2015-8-10 08:19:35

回复 2# lc137615061

摩尔定律只是总结了这个规律啊

qwer1215 · 发表于 2015-8-10 08:21:11

机器控制
alienwarexie 发表于 2015-8-7 09:59

登录/注册后可看大图

当然是机器控制啦~

qwer1215 · 发表于 2015-8-26 10:58:50

可以顶一下吗,疑问还未解决

jupitera · 发表于 2015-8-26 11:21:58

只好顶一下呀！太可以呀！

tm1986 · 发表于 2015-10-21 12:31:13

现在不是工作找人，而是人找工作啊

yesbird · 发表于 2015-12-20 13:45:16

回复 1# qwer1215

第一眼看到这个问题，觉得很有意思，但后来又不太确定你问的问题是什么了。说说我的理解和答案吧1. 光刻工艺的提升怎么成倍数地减小器件大小
一般器件大小由特征尺寸定义，并且这个定义是在平面上的。在利用光刻工艺制作晶体管的时候，首先会在硅的表面盖上感光材料，然后光线在掩模版的控制下，给某些位置曝光，另一些位置不曝光，这里曝光的面积或者尺寸就由光刻工艺的精度决定。曝光的位置的感光材料发生变化，通过一定方法被清除掉，那么就能够处理硅表面的某些位置。然后不断地重复这个过程，最后制做出晶体管，这些晶体光的尺寸就由光刻工艺决定。光刻工艺的尺寸缩小0.7, 那么面积上就缩小一半，晶体管面积就可以缩小一半，集成度提高一倍。
2. 为什么光刻工艺的尺寸是0.7倍的缩小
摩尔定律总结了这样的一个规律。在摩尔总结这个规律之前，尺寸是不是按照这样缩小的，需要找资料验证，因为摩尔定律是根据晶体管数量翻倍总结出来的，不是根据工艺尺寸的出来的。但是摩尔定律出来之后，驱动着集成电路这样高速发展，那么也驱动着工艺这样发展。目前是这样理解的，或者这个问题需要再多考察下。

xieerman1 · 发表于 2015-12-21 09:43:56

觉得很有意思，

[讨论] 一个很弱的问题,IC的集成度是如何做到每隔一定的时间成倍提升的

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