1um40v工艺

silverpuma · 发表于 2014-12-4 17:27:49

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1um40v工艺里面5v n/pmos管的vgs工作范围在0~5V，那vgs的耐压值可以达到多少？？

peterlin2010 · 发表于 2014-12-4 17:35:28

一般看mos oxide 多厚吧. 0.5um 40v process gate oxide 一般7v 下还可以 , 但一般 < 5~5.5v , 因为会有可靠度的问题.正确的设计该避免大于 5v应用 ,
如果代工厂都只说vgs 0~5v 那表示代工厂也可能知道 > 5v 有风险. 所以才如此定

silverpuma · 发表于 2014-12-4 18:02:19

回复 2# peterlin2010

谢谢你。不过我还有个疑问，一般mos管工艺厂都会告诉一个源漏的耐压值bvds，那为什么就没有一个栅源的耐压值呢？
5V的管子，参数就都是在Vgs=5V下测试的。

semico_ljj · 发表于 2014-12-4 21:36:19

看栅氧厚度。
老工艺的5V CMOS 理论上可以到8－9V

silverpuma · 发表于 2014-12-5 09:40:45

回复 4# semico_ljj

谢谢！

hszgl · 发表于 2014-12-5 13:32:08

回复 3# silverpuma

华润的工艺吧？栅源没有意义，查pcm参数bvgox，栅氧击穿电压。

silverpuma · 发表于 2014-12-5 14:50:50

回复 6# hszgl

恩，是csmc的，里面有面积，不知道怎么和一定尺寸的管子联系起来。

hszgl · 发表于 2014-12-5 16:29:19

本帖最后由 hszgl 于 2014-12-5 16:30 编辑

回复 7# silverpuma

bvgox和面积没有关系。这只是告诉你测量这个参数用的是这个面积。

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