10uA以下的运放设计，采用亚阈设计还是W/L接近倒比的饱和区设计？

beyond某人 · 发表于 2014-10-29 08:59:34

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如题：10uA以下的运放设计，采用亚阈设计还是W/L接近倒比的饱和区设计？优缺点是什么？

beyond某人 · 发表于 2014-10-29 09:36:16

自己先顶起

jangtoy · 发表于 2014-10-30 16:53:52

这个和引用需求关系很大吧，你打算用在啥地方？亚阈值和倒比形式，增益都不会很大，精度也不会很好，我接触的一些低压低功耗芯片里面，往往将这些用作buffer，采用亚阈值形式的。

jiang_shuguo · 发表于 2014-10-30 17:15:02

一个opamp，不同位置的管子的工作状态是根据offset（匹配），线性度等决定的。不会因为电流大小而去选择倒比还是亚阈值。说白了，就是应该在亚阈值区的管子和应该在饱和区（200左右过驱动）的管子不会因为电流大小而进入不同的工作区。

beyond某人 · 发表于 2014-10-30 20:43:35

回复 4# jiang_shuguo

谢谢版主我还是太低端了

jiang_shuguo · 发表于 2014-10-31 11:07:01

回复 5# beyond某人

大家都是一步步走过来的。

VIERICMK87 · 发表于 2014-10-31 16:20:08

回复 3# jangtoy

倒比管为什么增益不大，输入管总不至于用倒比管吧，保证足够的GM，只要L不小，增益怎么会低，另外亚阈值区增益也不会低，ron=1/Id*namuda.

[讨论] 10uA以下的运放设计，采用亚阈设计还是W/L接近倒比的饱和区设计？