设为首页收藏本站
在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网)

手机号码，快捷登录

手机号码，快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
创芯云服务  : 创芯大讲堂  | 创芯人才网 | 数字IC职业培训  EETOP诚邀线上IC培训讲师!
搜帖子
EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网)»论坛 › IC 设计及制造（半导体、微电子） › Analog/RF IC 设计 › Analog/RF IC 设计讨论 › 多晶包围发射极工艺
返回列表 发新帖
查看: 1561|回复: 2

[讨论] 多晶包围发射极工艺

[复制链接]
suifengpiaoyang
发表于 2014-10-17 10:24:50 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册，结交更多好友，享用更多功能，让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看，没有账号？注册

x
NPN管里，发射极用多晶包围，是什么考虑？
百度里说是抗辐照，但是手册里没写，估计不是，还有其他考虑么？
多晶包围发射极
回复

举报

hszgl
发表于 2014-10-17 14:22:00 | 显示全部楼层
注入对准。
回复 支持 反对

举报

suifengpiaoyang
 楼主| 发表于 2014-10-17 14:37:31 | 显示全部楼层
回复 2# hszgl


   有道理!
回复 支持 反对

举报

返回列表 发新帖
高级模式
B Color Image Link Quote Code Smilies
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /1 下一条

小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-9-30 05:30 , Processed in 0.015440 second(s), 9 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表