ODT的端接方式

cuizehan · 发表于 2013-9-22 10:27:08

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DDR2/DDR3的ODT端接都是采用两个阻值分别为2RTT的电阻分别上拉到VDD和下拉到地。
这样不是等效于使用阻值为RTT的电阻端接到VDD/2吗？

为什么不直接采用这种方式？而且采用前者，在任何状态下都会有电流流过两个电阻，岂不还会消耗更多的功耗？

suk_jin · 发表于 2013-9-23 10:43:26

两种都可以啊，没什么大区别，后面一种需要在增加一个VDD/2的电源

cuizehan · 发表于 2013-9-23 11:18:52

两种都可以啊，没什么大区别，后面一种需要在增加一个VDD/2的电源
suk_jin 发表于 2013-9-23 10:43

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增加一个VDD/2电源的复杂度高吗？完全可以增加一个pin输入VDD/2的电源啊
我是觉得用上下拉端接的话，电流会比直接端接到VDD/2大很多，消耗的功耗也很显著

smartbear_06 · 发表于 2013-9-24 19:09:27

本帖最后由 smartbear_06 于 2013-9-24 19:28 编辑

回复 1# cuizehan

功耗这点上看，所以说LPDDR3和DDR4都只有一半的ODT了。
多加一个VDDQ/2的电压也是系统额外增加的，而且power domain越多之间的ESD, leakage这些问题也会变得复杂。
连接到VDDQ/2我认为也不具备在第一个T时帮助把DQ IO上的电容快速拉上来的作用，实际上一旦超过VDDQ/2就得经过channel从DRAM那边的Ron给IO充电了，Channel不理想都会让第一个T出问题，特别是高速的时候，第一T让eye 开不开

liangsida · 发表于 2013-12-16 10:52:08

现在DDR3内部的ODT是用等效的RTT上拉至VDD/2的啊。这样会降低一下幅度。

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