关于sentaurus仿真的几点建议

calm_ming · 发表于 2012-9-4 20:35:57

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sentaurus，目前器件仿真的官方常用软件，其早期版本为ISE,现更名为sentaurus，包含各类材料的器件模型，可对器件进行电学特性相关的性能仿真，功能强大，仿真精度相对较高。
对于NMOS电学特性仿真，对多晶硅栅建议不要在电极电压设定处进行功函数和势垒设定，一旦设定了相应的共函数或者势垒，则视为金属栅新材料结构，会忽略很多多晶栅特有的二次效应，如多晶的共函数随掺杂的变化而变化，小尺寸器件多晶耗尽等问题，因此设定时建议不要设定共函数或者势垒，则软件会自动默认为多晶栅，根据掺杂进行相关势垒等的计算，计算结果更为准确。
软件仿真电学特性相对准确，但对阈值电压的查看不够准确，需要人为调整设定或者根据曲线进行人为计算，软件自动计算的阈值电压随漏电压的变化与实际阈值的变化有些不符，对DIBL计算时需要自己根据输出或者转移进行计算分析。
网格设定处合理设置渐变网格，网格区域设定等，建议对整体，源漏，沟道，栅分别进行设置渐变网格，最好不要设置均匀网格，网格变化率在个方向上不同，最好能够根据网格化后人为查看网格细密程度是否符合要求。通常对二维网格设定要求不高，但对于三维情况要求较高，需要反复尝试以获得精度和速度均可接受的网格。网格设定的最好办法是通过mesh和仿真运行后根据网格数进行调整。

nwpuzhoukun · 发表于 2013-5-11 18:02:50

楼主看来非常有sentaurus仿真经验，用sentaurus仿真大尺寸的高压功率器件不知道效果怎么样，之前用的是medici，目前在学sentaurus

shanchan183 · 发表于 2013-7-25 10:50:53

向大神求助：
在仿NMOS的电学特性时，设置漏源电压为VDD，仿真转移特性曲线，可是漏电流显示是“-NAN”，而且提示"Error:get_ils_param handle should not be negtive!"（ P.S.漏源电压为50mV时转移特性曲线正常）
多谢！！！

shanchan183 · 发表于 2013-8-14 19:29:34

回复 1# calm_ming

请问：怎样“根据掺杂进行相关势垒等的计算 ”，有相应的公式吗？我在栅电极上直接定义功函数值，但发现改变功函数对阈值电压无影响，这是什么问题？感谢！

小书童 · 发表于 2013-9-26 22:14:19

好东西，钱不够，先收藏。

glisxx · 发表于 2013-10-10 15:25:05

求问下，如果要对IV curve中特定的V level 求I的话，要怎么写extract语句？

truevision · 发表于 2013-10-30 14:58:08

很不错！

406622768 · 发表于 2014-2-19 10:57:16

3q3q3q3q3q3q 고마워요~~~

john-cena · 发表于 2014-2-25 00:00:04

上海雨冉科技定位于专业的嵌入式方案提供商

kindlei · 发表于 2015-5-17 13:18:57

说的很好，谢谢楼主

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