hspice 模型文件中迁移率u0 的求取

sean_4413 · 发表于 2009-3-2 19:57:16

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从hspice模型文件中读出的u0带到公式中i=1/2（U0 Cox W/L （Vgs-Vth）（Vgs-Vth））手算，发现和仿真结果相比，误差太大，请问u0的具体求法！

还有就是，hspice仿真后生成的.lis文件中beta的值是管子的U0 Cox W/L么？

guang3000 · 发表于 2009-3-3 10:13:16

beta值是 U0 Cox ，我也没算准过，一般差上几倍

tjumicrosoft · 发表于 2009-3-3 13:28:09

U0在工艺库中会提到。0.35um工艺中给出的是463.674

duling653 · 发表于 2009-3-3 18:39:32

平方律公式只对长沟道的器件有效, 对于1微米以下的器件这个公式算出来的结果和仿真结果相差很大很正常

sean_4413 · 发表于 2009-3-3 19:04:42

还请多多赐教！！

heng155 · 发表于 2009-3-3 19:51:16

库文件里有啊，可是指望那个来算的话，结果会让你很郁闷

sean_4413 · 发表于 2009-3-4 19:55:33

原帖由 heng155 于 2009-3-3 19:51 发表

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库文件里有啊，可是指望那个来算的话，结果会让你很郁闷

我知道库里面有，也知道用那个算出来的结果很郁闷！我想知道的是为什么会有这种差别的，还请赐教！

大大山 · 发表于 2009-3-6 22:57:10

我们常用的计算公式，只是其中一中最简单的近似分析MOS的方法。
而仿真器里的近似方法，复杂的多。

prof3 · 发表于 2009-3-7 11:07:59

Basically, hand calculation use first order approx. formula. however, in the simulator there is quite different especially in 0.18um and beyond process. In 0.18um cmos process, the results are not that much different around 30% range.

kaosk · 发表于 2009-3-7 12:08:45

in side model file

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