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汽车功能电子化、ADAS及自动驾驶等汽车电子资料合集
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[资料] SUD50P04-08-GE3资料二三事

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发表于 2018-12-4 14:58:01 | 显示全部楼层 |阅读模式

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SUD50P04-08-GE3资料二三事

标准包装: 1
系列: TrenchFET®
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 50A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 8.1 毫欧 @ 22A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 159nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 5380pF @ 20V
功率 - 最大: 2.5W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装: TO-252,(D-Pak)
包装: 标准包装
其它名称: SUD50P04-08-GE3DKR
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