在上一篇文章中，我们俯瞰了半导体工艺的全景。今天，让我们化身“微观世界的建筑师”，拿起画笔，从P型衬底开始，一层一层地亲手“建造”一个完整的CMOS结构。 这不仅是一次知识的梳理，更将让你 直观地理解，你笔下的每一个图层，在晶圆厂中究竟对应着哪一道工序。 ——by ...

specify_pg_keepout 在 Innovus 中， specify_pg_keepout 命令用于为电源地（Power/Ground，简称 PG）网络指定 “避让区域”（keepout region），即限制 PG 布线或相关结构（如电源条、接地条）在特定区域内的布局，确保这些区域不被 PG 网络占用，以满足设计中的特殊约束或物理限制。 具体含 ...

常见的一些效应及相关概念 a. Channel Length Modulation (CLM) 沟道长度调制 在 MOSFET 中，当增加漏极电压 V_DS 时，有效的沟道长度会缩短，因为漏极附近的耗尽区 会扩展。这种效应导致漏极电流 I_D 随 V_DS 的增加而增加，即使 V_GS（栅极-源极电压）保 持恒定。这对模拟设计的影响在于，晶体管的输出特 ...

DW_div_pipe除法器IP在综合时做了很多retiming的操作，导致fm比的时间太长了，有大佬能解决这个问题吗？

本文详细介绍了 两种用 AD S 仿真 PDN阻抗的方法： （1）用ADS中的 S参数仿真——查看PDN阻抗 （2）用ADS中的AC仿真 ——查看PDN阻抗 本文详细介绍了ADS时域仿真中，PDN阻抗、负载电流分布与负载时域纹波之间的关系。

1　引言 　　随着半导体技术的不断进步和集成技术的发展，微处理器的集成度越来越高。为了获得高效率，微处理器的驱动电压呈低压化走势。从原来的3.3V降到1.8V～1.1V左右，最终将降到0.6V。另一方面，微处理器的功能越来越强大，其内部功能电路也越来越多，其要求驱动电流也越来越大，从以前的13A到30A～50A，以后将达 ...

如果说上一篇文章为我们描绘了版图工程师的进化蓝图，那么今天，我们将一起深入细节，亲手栽下每一棵技能的树苗。 本文将版图工程师的核心能力分解为七大模块，你可以借此地图，系统性地查漏补缺，规划你的成长路径。 1. 工艺理解 · 设计的根基 ...

在芯片设计领域，版图工程师正悄然完成一场残忍的淘汰和价值升级。从“电路的执行者”到“设计的共创者”，顶尖工程师正用 全栈能力 重构自己的职业护城河 。 一、基石：从执行者到“工艺解码者” 传统认知 ：设计规则的被动执行者 能力进化 ： 深入理解 ...

你是否遭遇过这些烦心事：手机突然间死机，电脑主板无端烧毁，穿戴等电子设备蓝牙 连接异常？通常这些问题并非出在产品质量上，而是电子世界里藏着两个破坏力极强的 “隐形杀手”— 静电放电（ESD）与过度电性应力（EOS）。它们悄无声息却都能给电子产品带来重创，今天就带大家摸清它们的底细， 一 ...

在USB PD（Power Delivery）快充技术中， 光耦 作为实现电气隔离与信号传输的关键元件。其通过光信号将充电器的高压侧与手机的低压侧进行物理隔离，有效防止高压冲击损坏内部电路，同时支持实时电压、电流反馈，确保充电过程的安全与高效。例如，晶台推出的KL101X系列光耦，凭借5000Vrms的高隔离电压与8mm爬电距离，在 ...